| 型号： | BSC110N06NS3 G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| BSC110N06NS3 G PDF |  |
| 产品目录绘图 | Mosfets TDSON-8 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 23µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2700pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSC110N06NS3 G-ND BSC110N06NS3 GTR SP000453668 |